本文指出：随着纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的销售迅速增长，电动汽车市场的发展正在加速。预计到2030年，电动车辆的生产比将达到两位数的增长，从20％到2024年至约45％[1]。 To meet the growing demand for high-voltage automotive IgBT chips, the Infineon Technology AG, a global semiconductor leader on electric systems and the Internet of Things, recently launched a new generation of products, including EDT3 (Third-Generation Power Transmission System) chips that are designed for 400 V and 800 V Systems, and and 800 V Systems, and system system, RC-Igbt chips tailored for 800 V systems.这些产品可以改善电力传输系统的性能，并且特别适合自动应用。 EDT3和RC-IGBT裸芯片旨在提供高质量和可靠的性能，帮助客户开发OP自定义电源模块。与EDT2相比，新一代EDT3的发展已取得了重大发展，EDT2在高负载下总损失20％，同时在低负载下保持效率。这种进步是由优化度量大大减少芯片损失并增加最高连接温度的驱动的，从而使芯片平衡了高性能和低负载效率。因此，使用EDT3芯片的电动车辆可以达到更长的范围并减少能源消耗，从而提供更可持续的驾驶体验。汽车高压芯片副总裁和Infineon Technology的离散设备产品系列副总裁罗伯特·赫尔曼（Robert Hermann）表示：“作为IGBT技术的领先供应商，Infineon专注于提供出色的性能和可靠性的产品。EDT3解决方案是基于我们依赖于变化和低温的许多应用程序，这些应用程序可以帮助客户获得许多完美的应用程序。” EDT3芯片组提供两个级别的电压，750 V和1200 V，具有高输出电流，适用于在各种电动车辆上的基本逆变器应用，例如纯电动车辆，插件混合电气车辆，扩展射程电动车辆（REVS）。该产品减少了芯片的大小，并且已经进行了设计，以促进制造较小的模块并降低整体系统成本。 Bilang补充，最高虚拟连接温度为185°C，最高的收集器发射器额定电压为750 V和1200 V，使其适用于高性能应用。在该产品中，汽车制造商可以设计更好，可靠的动力总成，这将有助于扩大行驶里程并减少泄漏。 Zhendu Technology的创始人兼总经理Jie Shen表示：“作为IGBT芯片供应商和Zhendu Technology的合作伙伴，最新的EDT3 CHIP优化了损失和分配，支持更高的工作温度，并提供了多种METAl选项。加快高级技术的应用。与二极管芯片组解决方案相比，电流密度较高。感谢电流密度，可扩展的芯片尺寸和减少的工作量工作负载Infineon的最新EDT3 IGBT芯片技术现在已与HybridPack™Drive G2自动动力模块集成，该模块为整个模块的产品组件提供了更强的性能和功能。该模块在750 V和1200 V功率水平的功率范围高达250 kW，从而提高了易用性。下一代阶段电流传感器集成选项，片上温度传感器和其他新功能将有助于降低系统成本。所有芯片产品均提供定制的芯片布局，包括片上温度和当前传感器。此外，Infineon还可以在要求时为烧结，焊接和粘合提供金属化选项。 Samplesthe存在可用于新的EDT3和RC-IGBT产品。 [1] Infineon的估计值